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个人音乐网站程序源码,微商引流人脉推广软件,南宁seo公司哪家好,网站建设时间怎么查驱动电力电子开关器件#xff08;MOSFET、IGBT、SiC MOS 等#xff09;#xff0c;核心是围绕器件的驱动特性#xff0c;设计满足 “电压、电流、隔离、保护” 要求的电路。你需要从 4 个核心维度 入手 一、 先明确#xff1a;驱动开关器件的核心目标 提供足够的驱动电压MOSFET、IGBT、SiC MOS 等核心是围绕器件的驱动特性设计满足 “电压、电流、隔离、保护” 要求的电路。你需要从 4 个核心维度 入手一、 先明确驱动开关器件的核心目标提供足够的驱动电压让器件可靠导通 / 关断比如 MOSFET 需 10~15VIGBT 需 15~20V提供足够的驱动电流快速充放电器件的栅极寄生电容减小开关损耗实现强弱电隔离主电路高压控制电路低压避免干扰和击穿加入保护功能防止器件过流、过温、欠压驱动损坏。二、 驱动设计的核心看 4 点按优先级排序看器件类型不同器件的驱动要求差异最关键这是驱动设计的基础 ——MOSFET、IGBT、SiC MOS 的驱动特性完全不同直接决定电路结构。看驱动电压与电流匹配器件的栅极参数驱动电压查器件手册的 VGS(th)​阈值电压 和 VGS​推荐驱动电压比如 MOSFET 的VGS(th)​一般 2-4V但必须给到 10~15V才能让导通电阻RDS(on)​最小电压不够会导致导通损耗剧增器件发热烧毁。驱动电流查器件手册的 Qg​栅极总电荷驱动电流越大栅极电容充放电越快开关时间越短损耗越低公式参考Ig​≈tQ​tr​是栅极电压上升时间一般需要几十到几百 mA。看隔离需求是否需要强弱电隔离非隔离驱动适合 低侧开关器件比如反激变换器的原边 MOSFET源极接地像我们之前聊的 “电平位移 图腾柱” 电路就是非隔离优点是电路简单、成本低。隔离驱动适合 高侧开关器件比如半桥 / 全桥电路的上管源极不接地必须用光耦、磁耦、隔离电源实现隔离防止高压串入控制电路。常用方案光耦隔离驱动如 TLP250、磁耦隔离驱动如 ADUM3120、集成隔离驱动芯片如 Si8271。看保护功能必须加的 3 个核心保护驱动电路不能只负责 “开关”还要保护器件这是可靠性的关键欠压锁定UVLO当驱动电压低于阈值比如 MOSFET 驱动电压低于 8V禁止驱动信号输出防止器件导通损耗过大过流保护检测主电路电流过流时快速关断驱动信号可搭配电流采样电阻、比较器实现栅极稳压保护在栅极和源极之间并联稳压管比如 18V防止栅极过压击穿MOSFET 栅极氧化层很脆弱。三、 驱动设计的实操步骤对应你的反激变换器项目以你要做的反激变换器低侧 MOSFET 驱动 为例步骤如下查 MOSFET 手册确认VGS​选 12V 驱动、Qg​计算驱动电流、RDS(on)​选驱动电路结构用 “电平位移 图腾柱” 非隔离驱动外接 12V 辅助电源选器件参数Q1/Q2 选小信号 MOS如 2N7000Q3/Q4 选功率三极管如 8050/8550Rg​选 10~100Ω根据开关频率调整加滤波和保护12V 电源并联 10μF 电解电容 0.1μF 陶瓷电容栅极并联 18V 稳压管调试优化通过示波器观察栅极电压波形调整Rg​让波形上升 / 下降沿陡峭无振荡。四、 常见坑要避开驱动电压不够 → 导通损耗大器件发热栅极限流电阻太小 → di/dt 过大EMI 超标没有隔离 → 高压串入控制电路烧毁单片机没有 UVLO 保护 → 电源波动时器件误动作。学习记录关于igbt驱动设计理想的igbt驱动设计损耗小门极振荡不明显无寄生导通现象有短路保护电路简单成本低从几个比较容易设计的方面思考门极电阻这个是igbt导通的过程可以看见随着Ron增大导通的di/dt和dv/dt红色和蓝色都是变得越来越小也就是开通特性变软。。。但是损耗再增加我们希望损耗小那当然是希望能选尽可能小的Rgon但是要小到什么地步呢/ 这就由震荡程度来决定门极电容和门级回路电感引起的震荡小电流开通容易发生震荡小电流下看这个图在ic60a这种小电流下很明显震荡的很严重那我们在小电流下去做这个实验看看rgon多少欧姆的时候 震荡最小那么我们怎么看这几个图呢又怎么选出合适的rgon呢1,我们要知道Rgon越大虽然这种情况下波形越平稳但是开关速度越慢那么开关损耗就越大2看波形的振荡程度和持续时间振荡幅度≤10%驱动电压、且振荡在 1~2 个周期内消失→属于 “可接受范围”振荡幅度大、持续高频振荡→属于 “危险范围”。3逐个分析图不懂后面再回来看看。有朋友懂的话可以和我讲讲Rg​5R6波形几乎无振荡→最安全但开关损耗最大不选它是因为损耗太高Rg​4R7振荡轻微→安全但损耗还是偏高Rg​3R3振荡比 5R6 明显但幅度小、很快消失→损耗降低振荡可接受Rg​2R2振荡增强但仍未出现持续高频振荡→损耗更低振荡仍在容忍范围内Rg​0R8/0R4振荡剧烈、持续高频尖峰→危险不能选。~~选3.3欧姆或者2.2欧姆没有明显振荡当然你不能只看这个你要兼顾emi看看损耗的大小IGBT 发射极引线的寄生电感LσE2带来的问题及影响为什么发射极引线电感会改变实际的栅极驱动电压”属于 IGBT 驱动设计中的 “布线细节痛点”。这个问题的危害发射极引线电感的感生电动势会导通时降低驱动电压→ IGBT 导通电阻增大、发热增加关断时削弱关断电压→ 关断速度变慢、开关损耗增加甚至引发振荡。》所以IGBT 驱动电路的发射极尤其是辅助发射极必须 “短、粗、直” 布线减小寄生电感上图E1E2是一条路上的我们将E1E2分开4个引脚的mos辅助发射极E2​把 “驱动回路的小电流” 和 “主电路的大电流” 分开了3 引脚 MOSFET驱动回路和主电路共用一个发射极主电路大电流变化时发射极寄生电感会产生感生电动势干扰驱动电压抵消驱动电压导致开关速度变慢、损耗增加4 引脚 MOSFET辅助发射极E2​单独接驱动电路主发射极E1​接主电路→ 驱动回路的电流不经过主发射极的大电感感生电动势的干扰被大幅削弱实际驱动电压更接近设计值开关速度更快损耗自然更小。对于寄生导通的应对1怎么看寄生导通2应对xxxxxxxxxxx回看振荡可能与测试有关