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wordpress查看已删除的插件,网站建设优化开发公司,wordpress备份图文文章,柯桥建设集团网站目录 摘 要 2 1绪论 1 1.1 引言 1 1.2 掺杂氧化锌的研究背景 1 1.3本论文的研究内容 2 一、ZnO的研究背景以及掺杂ZnO的研究背景#xff0c;研究意义。 2 四、掺杂ZnO的研究进展#xff0c;不同离子掺杂对其薄膜的影响。 2 2氧化锌概述 2 2.1 ZnO的结构 3 2.1.1 ZnO的晶体结…目录摘 要 21绪论 11.1 引言 11.2 掺杂氧化锌的研究背景 11.3本论文的研究内容 2一、ZnO的研究背景以及掺杂ZnO的研究背景研究意义。 2四、掺杂ZnO的研究进展不同离子掺杂对其薄膜的影响。 22氧化锌概述 22.1 ZnO的结构 32.1.1 ZnO的晶体结构 3纤锌矿ZnO结构示意图 42.1.2 ZnO的能带结构 4半导体的能带结构 42.2 ZnO的基本特性及应用 6图6ZnO薄膜典型的室温PL谱 82.3 ZnO材料的缺陷 82.3.1 缺陷的分类 82.3.2 缺陷的作用 102.3.3 掺杂方法 102.4 ZnO的形态结构 112.5 ZnO薄膜的应用 132.5.3 气敏元件 143 Mn掺杂ZnO稀磁半导体 153.1 稀磁半导体概述 153.1.1稀磁半导体的基本概念 153.1.2稀磁半导体的晶体结构及分类 16A闪锌矿结构 B纤锌矿结构 173.1.3铁磁机制 173.2稀磁半导体的性质和应用 183.3稀磁半导体的研究进展 183.3.1理论进展 183.3.2试验进展 193.4 稀磁半导体的制备 203.5稀磁半导体的研究意义 214 Mn掺杂ZnO特性研究 214.1研究进展 214.3 室温铁磁性研究 264.3.1 简单介绍 274.3.2 理论基础密度泛函理论 284.3.2.1 Tomas-Fermi-Dirae理论 284.3.2.2 Hohenberg-Kohn定理 294.3.2.3 Kohn一Sham方程 294.3.2.4交换-关联能函数近似 294.3.3 室温铁磁性的初步研究 304.3.4 不同退火温度对铁磁性的影响 314.3.4 不同掺杂浓度对铁磁性的影响 334.4 光学特性研究 344.4.1 Mn含量对薄膜吸收光谱的影响 344.5 Mn掺杂ZnO薄膜的研究意义 37结论与展望 372MCD的频谱表明该导带是磁性离子和自旋分裂的杂交。 564随着温度升高超过150KMCD的强度不会下降。 56致 谢 57摘 要纤锌矿结构氧化锌ZnO是一种宽禁带的直接带隙氧化物半导体材料它具有低介电常数、大光电耦合系数、高化学稳定性、高的激子结合能以及优良的光学、电学及压电特性等因此在许多方面有着潜在的使用价值可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。对于ZnO材料的研究我们已经取得了很大的成就但是这些研究主要是集中于其材料的实验制备、功能和电子结构等理论工作。近年来过渡金属掺杂ZnO等稀磁半导体材料成为了人们的研究方向激起了人们的研究欲望。通过对氧化锌进行过渡金属的掺杂能改变它的特性同时也具有铁电性所以成为了集成光电器件中一种极具潜力的材料。1.3本论文的研究内容ZnO薄膜是直接带隙半导体具有很好的光电性质对紫外光有较为强烈的吸收在可见光区光透过率接近90%。ZnO薄膜的光电特性与其化学组成、能带结构、氧空位数量及结晶密度相关在适当的制备条件及掺杂条件下ZnO薄膜表现出很好的低阻特征。另外Mn掺杂后对ZnO薄膜的光学、电学等性能有显著影响而Mn等过渡族金属掺杂ZnO薄膜有望制备出稀磁半导体并有可能成为新一代信息存储的载体。所以本课题针对Mn掺杂ZnO薄膜进行理论分析主要从理论上分析、归纳Mn掺杂对ZnO薄膜的晶格结构、表面形貌、光学性能、铁磁性能等的影响。主要包括以下几个方面一、ZnO的研究背景以及掺杂ZnO的研究背景研究意义。二、ZnO的晶格结构、能带结构、密度分布图、基本性能研究以及应用ZnO缺陷分类、作用以及掺杂的基本方法ZnO的形态结构ZnO薄膜的应用。三、稀磁半导体的定义、晶格结构、分类、性质、应用研究历史以及稀磁半导体的制备方法、研究意义。四、掺杂ZnO的研究进展不同离子掺杂对其薄膜的影响。五、Mn掺杂ZnO薄膜的晶格结构、表面形貌特征室温铁磁性研究以及研究其的理论基础——密度泛函理论不同退火温度对铁磁性的影响不同含量的掺杂对其吸收光谱的影响透射谱的研究以及发光性质等性质的研究。